엘립소미터 FE-5000 series | 한국오츠카전자

Model	FE-5000	FE-5000S
*Spot size	**approx. φ 1.2	approx. φ 2.0
***Wavelength range	250 ~ 800nm	300 ~ 800nm
Stage drive	manual / auto	manual
Loader	OK	NG
Size and weight	1,300(W) x 900(D) x 1,750(H)mm, ****approx. 350kg	650(W) x 400(D) x 560(H)mm, approx. 50kg
Measurement sample	reflective sample
Sample size	100 x 100mm
Principle	rotating analyzer method(rotating polarizer, detachable retarder)
Thickness range	over 0.1nm(nd)
Irradiate(reflect) angle	45 ~ 90°
Irradiate(reflect) angle drive method	automatic sine-bar drive
Tanψ accuracy	< ± 0.01
CosΔ accuracy	< ± 0.01
Reproducibility	< 0.01%(measured in VLSI standard SiO2(100nm))
Detector	polychrometer(PDA, CCD)
Light source	*****high stability xenon lamp
Software analysis	Least squares thin film analysis(refractive index model function, Cauchy dispersion model, nk-Cauchy dispersion model) Theoretical analysis(bulk surface analysis(n.k.), simultaneous analysis of angle-dependence)

*측정 조건에 따라 다름

**마이크로 스팟 이용 가능

***측정 가능한 파장 범위

****자동 스테이지

*****측정 파장에 따라 다름

측정 항목

엘립소 파라미터(tanψ, cosΔ)
광학 상수 분석(n: 굴절률, k: 소광 계수)
두께 분석

측정 데이터

> Gradient model을 사용한 ITO 구조 분석

ITO(indium-tin-oxide)는 LCD 디스플레이와 같이 평면 디스플레이에 사용되는 투명 전극 재료입니다. ITO의 전기 전도도 및 색상은 막 형성 후 열처리에 의해 개선되는데, 이 때 ITO의 결정 상태가 변화합니다. 이 변화는 필름 두께에 따라 단계적으로 경사 변화를 얻는 경향이 있으며, 광학적으로 균일한 조성을 갖는 단일층이 되지 않습니다. Gradient model을 사용하여 상하 표면의 n, k에 대한 경사도를 측정하는 사례를 소개하고자 합니다.

반도체 웨이퍼
- 게이트 산화물 박막, 질화막
- SiO2, SiOx, SiN, SiON, SiNx, Al2O3, poly-Si, ZnSe, BPSG, TiN 등
- 포토레지스트

화합물 반도체
- AlGaAs, a-Si 등

평판 디스플레이
- TFT
- OLED용 증착물질

신소재
- DLC(Diamond Like Carbon), 초전도 박막

광학 박막
- TiO2, SiO2, 다층 필름, 반사 방지 필름, 반사 필름

Lithography
- optical constant for g ray(436nm), h ray(405nm), i ray(365nm), KrF(248nm)
- optical constant of resist at each wavelength

Spectro ellipsometer

Spectro ellipsometer

FE-5000 series

제품 특성

제품 사양

측정

측정 항목

응용 분야

오츠카 그룹