Load port compatible wafer geometry metrology

(Substrate/Chip manufacturing)

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GS-300

웨이퍼의 결함 또는 손실을 제때 식별하는 것은 연구소와 제조업체의 중요한 과제입니다. GS-300은 실시간으로 실리콘 웨이퍼를 측정하고 컬러 코딩 그리드로 결과를 시각화하여 웨이퍼 특성을 한눈에 파악할 수 있도록 합니다.

GS-300의 측정 시스템은 로드 포트와 호환되어 Φ300mm EFEM 포트의 예비 장치로 사용할 수 있을 뿐 아니라 RθXY 스테이지를 사용하여 패턴 매칭 기능과 2μm이하의 X-Y 모션 재현성을 탑재한 시스템입니다.

 제품 특성  
  • 예비 Φ300mm EFEM 포트에 접속하여 사용 가능합니다.

  • 웨이퍼 패턴 매칭이 가능합니다.

  • 반도체 프로세스의 높은 생산성에 고속으로 대응 가능합니다.

  • 고정밀 노치 검출 기능을 지원합니다.

  • 사이즈를 최소화하여 작은 공간에도 설치 가능합니다.

  • 반도체 생산 과정에서 보는 GS-300:
    연마 공정에서 GS-300은 웨이퍼 형상 측정 역할을 하며, 칩 생산 공정에서는 웨이퍼 형상 측정, 웨이퍼 박막두께 측정, 투과율·반사율 측정이 가능합니다.

[작동영상]

 제품 사양 
TypeIntegration mapping system
Stage typeRθXY stage
Measurement systemmicroscope head + IR camera
Max. wafer sizeΦ300mm
Wafer angle correction functionO
Pattern alignment functionO
Wafer thickness rangeSF-3 thickness sensor specification
Size500(W) x 500(D) x 1680(H)mm (monitor and keyboard are not included)


 측정 
측정 가능 샘플 (예시)
  • TSV 장치 패턴 웨이퍼의 연삭 후 실리콘 두께
  • Φ300mm 사이즈의 웨이퍼 두께


측정 데이터

> 연삭 후 Φ300mm 웨이퍼

GS-300 측정 데이터 예시

Si 필름 막두께 분포 (약 771μm)

경기도 성남시 분당구 성남대로 925번길 41 파인벤처빌딩 6층 B호 (13496)


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