Si wafer thickness monitoring system

Si wafer thickness monitoring system

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SF-3 series

SF-3는 반도체 또는 필름의 공정 과정 중 실시간으로 두께 검사를 실시하여 품질 검사에 드는 시간과 비용을 절감시켜줍니다. 비접촉, 비파괴 측정으로 샘플 손상 없이 다층 분석이 가능하며 특허 출원된 독자적인 두께 측정 알고리즘을 사용하여 한 눈에 결과를 확인할 수 있습니다.

 제품 특성  
  • 광학을 이용한 비접촉, 비파괴 두께 측정 방식입니다.

  • 실리콘의 경우, 6 ~ 1300μm 두께 측정이 가능합니다.
    웨이퍼-수지 측정 가능 두께 범위
  • 스펙트럼 분석 후 파라미터 설정이 가능합니다.

  • 독자적인 분석 엔진 기술과 알고리즘을 사용합니다.

  • 두께 분포를 측정하기 위한 자동 매핑기능이 있습니다.

  • 다층 막두께, 템포러리 웨이퍼의 각 층 두께 측정이 가능합니다.

  • CMP, backside grinding, 파이널 폴리싱(TTV, GBIR) 중에 고속 실시간 모니터링이 가능합니다.(분당 최대 60,000 포인트)
    프로세스별 측정 이미지

 제품 사양 
ModelSF-3/200SF-3/300SF-3/800
SF-3/1300
Silicon meas. thickness range6 ~ 400μm10 ~ 775μm20 ~ 1,000μm
50 ~ 1,300μm
Resin meas. thickness range10 ~ 1,000μm20 ~ 1,500μm40 ~ 2,000μm
1,000 ~ 2,600μm
Minimum sampling period5kHz(200μsec)
Repeatability*less than ± 0.01%
Measurement size**over about Φ20μm
Measurement distance50mm, 80mm, 120mm, 150mm, 200mm
Light sourcesemiconductor light source(laser class 3B product)
Analysis methodFFT analysis
InterfaceLAN, I/O input/output terminal
Power supplyDC 24V specification(AC power supply unit sold separately)
Size123(W) x 224(D) x 128(H)mm
Optional itemother lengths of probes, AC power, aluminum reference, measured light detection target, fiber cleaner

*측정 시 표준 샘플 AirGap(약 1000μm)의 표준 상대 편차(n=20)

**WD 80mm 프로브 사양 시 설계값

 측정 
측정 항목
  • 막 두께 분석 (최대 5층)

 응용 분야 
  • Si 웨이퍼 재료의 두께 측정

  • 에어겝 측정

  • 실리콘/화합물 반도체의 연마도 측정

  • 1.3mm에서 차세대 450mm 웨이퍼까지 대응

  • TSV 웨이퍼 측정

  • 기타 재료 (SiO2, 필름)

 설치 예시 

측정을 위한 SF-3 세팅 이미지

경기도 성남시 분당구 성남대로 925번길 41 파인벤처빌딩 6층 B호 (13496)


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