제품 > 반도체 평가 > Metrology > TFE-300
웨이퍼 두께 측정에 필요한 모든 기능이 헤드에 통합되어 있습니다.
미세 분광법을 이용한 고정밀 절대반사율을 측정하여 1초/Point 미만의 고속 측정이 가능합니다.
또한, 넓은 파장 범위(UV ~NIR)로 미세 박막은 물론 다층구조 분석(3층 이상)이 가능합니다.
넓은 파장 범위(UV ~ NIR)로 측정을 실현하는 광학 시스템 입니다.
H/W, S/W 및 통신 기능 등 사용자 요구 사양에 맞춰 제작이 가능하며, 다양한 측정 옵션의 추가가 가능합니다.
Category | Content | Spec. | Notes |
| X-Y Motor | Stroke | above 300mm | |
Theoretical Resolution | 1㎛ | ||
| Z Motor | Stroke | 14mm | |
Theoretical Resolution | under 1㎛ | ||
| Wafer Aligner | notch align reproducibility | under 0.1° | θ align |
| Camera | FOV | 712x533 ㎛ | X10 Lens (Customizable) |
Spectrometer (MCPD) | Wavelength range | 360~1100nm | Customizable (DUV to NIR: 250~1600nm) |
| Wavelength accuracy | under 0.3nm | Calibration: 1time/year | |
| Wavelength width | 1.6nm/pixel | 512ch or 1024ch | |
| Lamp | Light source | LDLS or TH Lamp | |
| Lifetime | 10,000h or 1,500h | Respectively | |
| Spot | Size | Φ 20㎛ | X10 Lens (4~20Φ um, selected by the magnification of each lens) |
| Measurement | Thickness Range | 7nm~49㎛ | |
| Accuracy | under 0.1nm under 0.07% | Under SiO2 on Si 100nm (Certificated Sample) Above SiO2 on Si 100nm (Certificated Sample) | |
| Reflectance Repeatability | under 0.5% | wavelength range: 400~800nm |
Material | Thickness Range |
oxide | 70Å~49㎛ |
nitride | 50Å~40㎛ |
oxynitride | 60Å~45㎛ |
TEOS | 70Å~49㎛ |
a-Si | 150Å~20㎛ |
Poly-Si | 150Å~20㎛ |
Photoresist | 60Å~45㎛ |
Measure by adding a variety of options on one equipment without increasing the size of the equipment!
RS (Sheet Resistance)
• Non-Contact Sheet Resistance
: Eddy Current analysis
• 4 Point Probe Sheet Resistance
: 1mΩ/□~1GΩ/□
Wafer Thickness Meter
• High speed Sampling (5kHz)
: 60,000 point/1min
• Thickness Range: 6~1300㎛
• non-contact, non-destructive
Spectroscopic Ellipsometer
• Ultra thin film analysis
: 10Å~35㎛
• Optical constant analysis (n, k)
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